Name: Vishay Siliconix SI4966DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4966DY-T1-GE3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI4966DY-T1-GE3

Artikelnummer:

SI4966DY-T1-GE3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

Datenblätte:

1.SI4966DY-T1-GE3.pdf ···: 2D -Zeichnungen
Mult Devices 15/Sep/2017.pdf SI4966DY.pdf

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI4966DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI4966DY-T1-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-SOIC
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 7.1A, 4.5V
Leistung - max	2W
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 4.5V
FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	-
Konfiguration	2 N-Channel (Dual)
Grundproduktnummer	SI4966
SI4966DY-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]	SI4966DY-T1-GE3 PDF - EN.pdf

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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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